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  • 型号: MT41J256M16HA-125:E TR
  • 制造商: Micron Technology Inc
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT41J256M16HA-125:E TR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41J256M16HA-125:E TR价格参考。Micron Technology IncMT41J256M16HA-125:E TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT41J256M16HA-125:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT41J256M16HA-125:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MT41J256M16HA-125:E TR 是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款DDR3 SDRAM存储器,属于高性能、低功耗的8Gb(256M×16)同步动态随机存取存储器。该型号采用FBGA封装,工作电压为1.5V,数据传输速率为1600 Mbps(即DDR3-1600),时序为CL=9,适用于对稳定性与性能有较高要求的应用场景。

该存储器广泛应用于工业控制设备、网络通信设备(如路由器、交换机)、嵌入式系统、服务器模块及高端消费类电子产品中。由于其具备良好的温度适应性与高可靠性,特别适合在工业级环境(如宽温工作条件)下长期稳定运行。此外,该器件常用于需要较大内存带宽但空间受限的设计,例如小型化工控主板、FPGA开发平台和视频处理设备等。

MT41J256M16HA-125:E TR 还支持自刷新和部分阵列自刷新等节能功能,有助于降低系统整体功耗,因此也适用于注重能效的嵌入式和便携式设备。其“TR”后缀表示产品以卷带包装形式供应,适合自动化贴片生产线,广泛用于大规模电子制造领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MT41J256M16HA-125:E TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

96-FBGA(9x14)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

DDR3 SDRAM

存储容量

4G(256M x 16)

封装/外壳

96-TFBGA

工作温度

0°C ~ 95°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.425 V ~ 1.575 V

速度

800MHz

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